我国科研团队霸占芯片散热世界难题 氮化镓功率器材有望站上风口

  据西安电子科技大学官方消息，近来，郝跃院士张进成教授团队的最新研讨在这一中心难题上完成了历史性跨过——他们经过将资料间的“岛状”衔接转化为原子级平坦的“薄膜”，使芯片的散热功率与归纳功能获得了腾跃性提高。

  根据这项立异的氮化铝薄膜技能，研讨团队制备出的氮化镓微波功率器材，在X波段和Ka波段别离完成了42 W/mm和20 W/mm的输出功率密度。这一数据将世界同类器材的功能纪录提高了30%到40%，是近二十年来该范畴最大的一次打破。这在某种程度上预示着，在芯片面积不变的情况下，配备勘探间隔能够明显地添加；关于通讯基站而言，则能完成更远的信号掩盖和更低的能耗。更深远的影响在于，它为推进5G/6G通讯、卫星互联网等未来工业的开展，储藏了要害的中心器材才能。

  榜首创业证券郭强指出，英伟达更新发布了800伏直流架构白皮书。未来的数据中心电源将主要是选用800V直流供电，和现有供电计划比较，变压器由传统的线圈变压改成了以电子电子技能为主的固态变压器，最要依托更高端的氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体器材进行电力转化。依照英伟达CEO在本年二季度成绩分析师会议上的估计，2030年AI基础设施开销或许到达3~4万亿美元，是2025年估计出资的5倍以上，假如考虑AI芯片晋级则需求的功耗会更高，因而将带来功率器材需求的快速增长。

  士兰微Ⅱ代SiC-MOSFET芯片出产的电动汽车主电机驱动模块出货量累计达2万颗，第Ⅳ代SiC模块已送客户评测。

  晶方科技出资的以色列VisIC公司作为全球抢先的第三代半导体GaN器材规划公司，其正活跃与世界闻名厂商协作，共同开发800V及以上高功率主驱动逆变器模块。回来搜狐，检查更加多